河源国家高新区：一企业获两项大奖

○本报讯 记者 王亚娇 特约记者 聂燕民 张立 通讯员 叶小艳 近日，第二届粤东西北知识产权创新创业大赛结果公布，河源市众拓光电科技有限公司（下称众拓光电）“面向大功率电力电源的GaN单片集成整流芯片”项目获评发明专利组金奖和最具投资价值奖。

众拓光电是一家拥有国际领先的第三代化合物半导体产业化技术的国家高新技术企业。近年来，该公司不断加大人才、资金投入，在GaN大功率LED芯片、GaN功率器件领域，从材料生长到器件制作及集成应用都取得了相应的成果，相关技术成果获得国家技术发明二等奖、广东省技术发明一等奖、大湾区高价值专利大赛金奖等省部级以上科技奖励10项，具有强大的行业竞争优势。

“公司长期致力于第三代半导体材料与器件的研究，拥有30多位顶尖人才组成的高水平团队，开创了完全独立自主的全链条硅基氮化镓（GaN on Si）、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料与芯片技术，已形成完整的核心专利池，已申请专利150余件。”众拓光电副总经理陈小雪说，去年在设备上整体研发投入超过了1500万元，今后还将持续加大研发投入，提升企业核心竞争力，以更具竞争力的IDM模式和高品质专业化服务，打造有中国自主知识产权的中国芯，铸就第三代半导体芯片国际领导者。

据悉，众拓光电成立以来，已建成国家博士后科研工作站分站、广东省博士工作站、广东省院士工作站、广东省高速宽带通信芯片设计与制造工程技术研究中心、河源市第三代半导体材料与器件技术研究中心、河源市半导体材料与器件企业重点实验室等科研创新平台。目前，该公司量产的Si基GaN大功率LED芯片，已广泛应用于户外照明、汽车照明、超高清电视背光源以及国内外重大照明工程，可替代国外同类进口产品，其最新研发的可应用于电力电源、新能源汽车等领域的核心产品高性能氮化镓整流芯片，已与多家国内知名企业达成推广合作，累计产生500万元销售收入。

陈小雪表示，公司研发的高性能氮化镓整流芯片在技术上设计了Ⅲ-V族半导体新型异质外延结构，GaN整流芯片能量转化效率提升超20%。通过GaN整流器制作新工艺，提升了芯片性能及可靠性，实现高性能器件产业化，解决了整流芯片效率低、可靠性差的难题。